作者:
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
推荐文章
65nm CMOS工艺时钟发生器的设计与实现
Delta-sigma
模数转换器
抖动
锁相环
65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究
多位翻转
静态随机存储器
双阱
电荷共享
重离子
微束实验
65Nm苎麻纱牵切纺工艺的研究
苎麻
牵切纺纱
新工艺
65nm n沟MOSFET的重离子辐照径迹效应研究*
重离子辐照
径迹
65nm n沟MOSFET
模拟
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 重邮信科65nm TD芯片年度推出流片
来源期刊 移动通信 学科
关键词
年,卷(期) 2009,(7) 所属期刊栏目 业界动态
研究方向 页码范围 84
页数 1页 分类号
字数 1092字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-1010.2009.07.022
五维指标
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2009(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
移动通信
月刊
1006-1010
44-1301/TN
大16开
广州市新港中路381号(广州市1003信箱9分箱)
46-181
1973
chi
出版文献量(篇)
9277
总下载数(次)
9
总被引数(次)
33751
论文1v1指导