Curie温度附近稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声谱性质

• 作者: 姬扬 杨威 王玮竹 罗海辉 赵建华 阮学忠
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自旋电子学 稀磁半导体 自发涨落谱
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 8560-8565
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.068

摘要

建立了自发噪声谱测量系统来研究稀磁半导体(Ga,Mn)As的电学噪声性质.通过测量(Ga,Mn)As材料的自发噪声谱,发现(Ga,Mn)As的自发涨落会随温度升高而逐渐增大,同时,外加磁场会降低(Ga,Mn)As的自发涨落,这来源于外加磁场导致的(Ga,Mn)As磁畴部分有序化.此外,不同频率的噪声随温度的变化规律有很大差异:当频率低于30 kHz的时候,噪声谱和温度的变化关系和热噪声很相似,但数值上明显大于热噪声的值;当频率在30 kHz左右的时候,噪声大小和温度成线性关系;当频率大于30 kHz以后,在相变点附近噪声大小和温度的关系出现了明显的转折,高频高温噪声的大小和热噪声的理论值非常接近.这些结果有助于深入理解(Ga,Mn)As磁性起源的物理机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨威	中国科学院半导体研究所	60	460	11.0	19.0
5	赵建华	中国科学院半导体研究所	68	886	17.0	27.0
6	姬扬	中国科学院半导体研究所	42	12	2.0	2.0
7	罗海辉	中国科学院半导体研究所	2	1	1.0	1.0
11	王玮竹	中国科学院半导体研究所	4	1	1.0	1.0
15	阮学忠	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0