半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性

• 作者: 施卫 薛红 马湘蓉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光电导开关 热电子 弛豫 光电导振荡
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 8554-8559
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.067

摘要

用波长为532 nm、脉冲宽度为5 ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4 mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500 v开始以步长50 v逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后跟随几个幅值较小且具有周期性和不同程度的减幅振荡.分析了开关体内载流子(热电子)的微观状态和输运过程,在直流偏置电场作用下,开关体内的热电子在电子一电子、电子-声子相互作用过程中,当它们的弛豫时间大于载流子的寿命时,光电子的输运可通过迁移率变化引起光电导振荡,这是开关输出电脉冲出现振荡的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛红	西安理工大学应用物理系	38	78	5.0	7.0
3	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
4	马湘蓉	西安理工大学应用物理系	5	29	3.0	5.0