MOCVD生长GaN的反应动力学分析与数值模拟

• 作者: 左然 张红 徐谦
• 来源期刊: 化工学报
• 关键词: GaN生长模型 数值模拟 沉积速率
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 催化、动力学与反应器
• 页码范围: 384-388
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0438-1157.2009.02.018

摘要

提出了GaN生长的主反应和寄生化学反应模型,用主反应和与主反应平行进行的寄生反应来描述GaN的实际生长过程,并将此数值模拟得到的GaN沉积速率和文献中的实验数据进行了对比,发现与在实际MOCVD反应器上相同反应条件时得到的实验数据吻合较好.此外还发现TMGa浓度对GaN的生长速率有较大影响,但并非简单的线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	张红	江苏大学能源与动力工程学院	23	150	6.0	12.0
3	徐谦	江苏大学能源与动力工程学院	13	107	6.0	10.0