化学气相沉积法制备GaN纳米线和纳米棒

• 作者: 庄惠照 张冬冬 王英 王邹平 薛成山 黄英龙
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米结构 NiCl2 CVD
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 152-153,158
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1997字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.01.043

摘要

采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄惠照	山东师范大学半导体研究所	72	276	9.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
3	王邹平	山东师范大学半导体研究所	7	22	4.0	4.0
4	王英	山东师范大学半导体研究所	8	23	4.0	4.0
5	张冬冬	山东师范大学半导体研究所	6	15	3.0	3.0
6	黄英龙	山东师范大学半导体研究所	4	15	3.0	3.0