利用金属有机物化学气相沉积技术生长的a面GaN表面形貌和位错的研究

• 作者: 刘斌 宋黎红 崔影超 张荣 李弋 梅琴 谢自力 赵红 郑有蚪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: a面GaN 堆垛层错 极性
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 8506-8510
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.060

摘要

采用金属有机物化学气相沉积技术在r面蓝宝石衬底上制备了a面GaN薄膜,用熔融的KOH在400℃对样品分别腐蚀1.0,1.5和2.0 min.用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射谱和阴极射线荧光对腐蚀前后的表面形貌进行分析.研究表明,400℃下腐蚀1.5 min后出现了长平行四边形的条纹状,这是由于无极化的a面GaN表面极性各向异性,c向与m向上N原子悬挂键密度不同,同时稳定性不同,对OH~-离子的吸附能力不同造成的,其中沿c方向易于腐蚀.同时,a面GaN腐蚀后出现了六角突起.我们认为这与穿透位错有关,而其形貌则与GaN薄膜的位错局部极性有关.