安森美半导体推出新型高密度沟槽MOSFET

• 来源期刊: 电子元器件应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 安森美半导体 金属氧化物半导体场效应晶体管 沟槽 高密度 同步降压转换器 开关性能 N沟道
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 页码范围: I0002
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

安森美半导体（ON Semieonductor，）推出24款新的30伏（V）、N沟道沟槽（Trench）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这些MOS—FET采用DPAK、SO-8FL、？8FL及SOIC-8封装，为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。