介孔SiO_2薄膜孔结构的慢正电子技术表征

• 作者: 于润升 李玉晓 王宝义 王巧占 秦秀波 贾全杰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 同步辐射 X射线反射率 Doppler展宽 正电子素飞行时间谱
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 8478-8483
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.12.056

摘要

通过蒸发诱导白组装技术制备了具有不同有序结构的介孔SiO_2薄膜,并采用同步辐射X射线反射率以及慢正电子束流技术对其进行表征.实验结果表明,随着旋涂速率的增加,介孔结构由三维立方向二维六角结构转变,同时平均孔隙率随转速增加而减小.利用各向同性无机孔收缩模型和Fourier变换红外光谱.探讨了薄膜结构和正电子湮没参数的内在联系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王宝义	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	69	258	9.0	12.0
2	李玉晓	郑州大学物理工程学院	42	118	6.0	8.0
3	秦秀波	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	15	44	3.0	6.0
4	于润升	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	12	18	3.0	3.0
5	贾全杰	中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室	18	57	3.0	7.0
6	王巧占	郑州大学物理工程学院	2	10	1.0	2.0