超低漏电流超快恢复SiGeC功率二极管研究

• 作者: 刘静 高勇
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅锗碳 超低漏电流超快恢复 热稳定性
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 科研通信
• 页码范围: 2525-2529
• 页数: 5页
• 分类号: TN313~+.4
• 字数: 4107字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2009.11.030

摘要

提出一种超低漏电流超快恢复SiGeC p-i-n二极管结构.基于异质结电流输运机制,该SiGeC二极管实现了低通态压降下高电流密度的传输,改善了二极管的反向恢复特性,同时具有较低的反向漏电流.与少子寿命控制技术相比,该器件有效协调了降低通态电压、减小反向漏电流、缩短反向恢复时间三者之间的矛盾.对不同温度下器件反向恢复特性研究结果表明,SiGeC二极管的反向恢复时间与同结构SiGe二极管相比,350K时缩短了1/3,400K时缩短了40%以上,器件的热稳定性显著提高,降低了对器件后续制作工艺的限制,有益于功率集成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学电子工程系	189	1184	15.0	26.0
2	刘静	西安理工大学电子工程系	58	261	8.0	14.0