原位生长缺陷碳纳米管化学修饰电极的研制

• 作者: 何正文 曾静雯 李影 杨槐 江奇 赵勇
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 化学
• 关键词: 化学修饰电极 缺陷碳纳米管 原位生长
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1747-1749,1753
• 页数: 4页
• 分类号: O657|TB383
• 字数: 3158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.10.046

摘要

利用浸渍法将碳纳米管(CNT)催化剂附着在石墨电极表面,用化学气相沉积法制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME).通过控制催化剂及反应气体的配比,在石墨电极表面得到的管壁多缺陷的CNT,研究表明这种 GSCNT-CME具有良好的电化学检测性能.研究还发现这种GSCNT-CME具有高稳定性的原因是CNT是基于石墨电极上碳原子的晶格而生长的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江奇		4	15	2.0	3.0
2	杨槐		2	6	1.0	2.0
3	何正文		1	1	1.0	1.0
4	李影		1	1	1.0	1.0
5	曾静雯		1	1	1.0	1.0