电压源换流器高压直流输电装置中IGBT的过电流失效机制

• 作者: 庞辉 汤广福 温家良 罗湘 贺之渊 郑健超
• 来源期刊: 中国电机工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电压源换流器高压直流输电装置 绝缘栅双极型晶体管阀 过电流 失效机制
• 年，卷（期）: 2009,（33）
• 所属期刊栏目: 电力电子与电力传动
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 分类号: TM761
• 语种: 中文

摘要

为满足电压源换流器高压直流输电(voltage source converter high voltage direct current,VSC-HVDC)装置可靠性及其试验方法和试验等效机制研究的需要,重点研究了该装置中绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)阀在过电流故障状态下的失效机制.介绍了VSC-HVDC 系统及其阀的结构,将IGBT 阀过电流故障分为3 种不同的类型,分析IGBT 阀在不同过电流故障状态下的电压和电流应力及其在故障应力下的内部物理过程.最终得到了IGBT 阀在3 种过电流故障下的失效机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	温家良		27	927	16.0	27.0
2	汤广福		82	2806	30.0	51.0
3	贺之渊		30	1647	18.0	30.0
4	郑健超		37	1752	21.0	37.0
5	庞辉		3	125	2.0	3.0
6	罗湘		6	23	3.0	4.0