氟取代噻咯衍生物结构和光电性能的理论研究

• 作者: 张莲姬 杨培培 杨桂霞 蒋子江 辛毅 黄宗浩
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 噻咯衍生物 氟取代 高效有机发光二极管 电子亲和势 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2274-2278
• 页数: 5页
• 分类号: O641
• 字数: 2620字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2009.11.033

摘要

采用密度泛函理论在B3LYP/6-31G(d)水平上计算了1,1-二甲基-2,3,4,5-四苯基噻咯(PSP)及其8种氟取代衍生物的几何结构与光电性质. 计算结果表明, 2,5位苯基上氟取代对PSP结构和光电性质的影响主要由氟原子的取代位置决定, 而取代基个数的增加能加强相关影响. 苯基上邻对位氟取代对分子构型影响较大, 导致HOMO-LUMO能隙增大, 光谱显著蓝移;而间位氟取代显示诱导作用突出, 使2,5位侧链吸电子能力增强, 同时LUMO能级降低, 电子亲和势增大更有利于电子的注入.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨桂霞	东北师范大学化学学院	2	7	2.0	2.0
5	黄宗浩	东北师范大学化学学院	14	75	5.0	8.0
6	杨培培	东北师范大学化学学院	1	4	1.0	1.0
7	辛毅	东北师范大学化学学院	2	5	1.0	2.0
8	蒋子江	东北师范大学化学学院	1	4	1.0	1.0
9	张莲姬	东北师范大学化学学院	1	4	1.0	1.0