Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究

• 作者: 刘林杰 岳远征 张进城 董作典 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 原子层淀积 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件 温度特性
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 536-540
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.084

摘要

采用原子层淀积(ALD)实现了10 nm Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).通过对MOS-HEMT器件和传统MES-HEMT器件室温特性的对比,验证了新型MOS-HEMT器件饱和电流和泄漏电流的优势.通过分析MOS-HEMT器件在30-180℃之间特性的变化规律,与国内报道的传统MES-HEMT器件随温度退化程度对比,得出了器件饱和电流和跨导的退化主要是由于输运特性退化造成的,证明栅介质减小了引入AlGaN界面的表面态是提高特性的重要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	岳远征	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	5	15	3.0	3.0
4	张进城	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	52	301	9.0	14.0
5	董作典	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	15	2.0	2.0
6	刘林杰	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件重点实验室	2	15	2.0	2.0