SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压

• 作者: 张义门 张玉明 汤晓燕
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 肖特基接触 阈值电压
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 494-497
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.077

摘要

SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张玉明	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	9	23	3.0	4.0
2	张义门	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	10	25	3.0	4.0
3	汤晓燕	宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安电子科技大学微电子学院	4	16	2.0	4.0