GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装InAs量子点的生长

• 作者: Chen Hong He Tao Yang Cheng-Liang Zhou Jun-Ming 李辉 王文新 蒋中伟 高汉超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 自组装量子点 分子束外延 Ⅲ-V族化合物半导体
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 471-476
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.01.073

摘要

研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2 ML GaSb/1ML GaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分布量子点.随着复合应力缓冲层中GaAs层厚度的不同,量子点的密度可以在1.2×1010 cm-2和8×1010cm-2进行调控.适当增加GaAs层的厚度至5 ML,量子点的发光波长红移了约25 nm,室温下PL光谱波长接近1300 nm.