SiCN扩散阻挡层薄膜的制备及特性研究

• 作者: 周继承 石之杰 郑旭强
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: SiCN薄膜 铜互连 电介质阻挡层 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 23-25
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2663字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.01.007

摘要

采用磁控溅射法在单晶硅衬底上制备了SiCN及Cu/SiCN薄膜,并对试样进行了退火处理.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、四探针测试仪(FPP)研究了SiCN薄膜的表面形貌、物相结构及在Cu/SiCN/Si结构中SiCN薄膜对铜与硅的阻挡性能.结果表明,沉积态SiCN薄膜为无定型的非晶结构,晶化温度在1000℃以上;SiCN薄膜作为Cu的扩散阻挡层有较好的热稳定性及阻挡性,阻挡失效温度在600℃左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承	中南大学物理科学与技术学院	96	780	15.0	21.0
2	郑旭强	中南大学物理科学与技术学院	6	60	4.0	6.0
3	石之杰	中南大学物理科学与技术学院	2	27	2.0	2.0