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摘要:
This paper proposes an oxide filled extended trench gate super junction (SJ) MOSFET structure to meet the need of higher frequency power switches application. Compared with the conventional trench gate SJ MOSFET, new structure has the smaller input and output capacitances, and the remarkable improvements in the breakdown voltage, on-resistance and switching speed. Furthermore, the SJ in the new structure can be realized by the existing trench etching and shallow angle implantation, which offers more freedom to SJ MOSFET device design and fabrication.
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篇名 An oxide filled extended trench gate super junction MOSFET structure
来源期刊 中国物理B(英文版) 学科
关键词 power MOSFET super junction trench gate shallow angle implantation
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1231-1236
页数 6页 分类号
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power MOSFET
super junction
trench gate
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中国物理B(英文版)
月刊
1674-1056
11-5639/O4
北京市中关村中国科学院物理研究所内
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