3C-SiC(001)-(2×1)表面原子与电子结构研究

• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅 密度泛函理论计算 原子结构 电子结构
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7821-7825
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了3C-SiC(001)-(2×1)表面的原子及电子结构.计算结果表明,3C-SiC(001)-(2×1)表面为非对称性的Si二聚体模型,其二聚体的Si原子间键长为0.232 nm.电子结构的计算结果表明,在费米能级处有明显的态密度,因此3C-Sic(001)-(2×1)表面呈金属性.在带隙附近存在四个表面态带,一个位于费米能级附近,一个位于费米能级以上5 eV处,另外两个位于费米能级以下的价带中.