GaInP/GaAs/Ge三结叠层光电池光谱响应的温度特性

• 作者: 刘磊 崔敏 汪宇 白一鸣 陈诺夫 高福宝
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 光谱响应 叠层电池 温度系数
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-009-0058-x

摘要

利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)制备了转化效率达27.1%的GaInP/GaAs/Ge三结叠层电池,并对其光谱响应的温度特性进行了测量研究.通过光谱响应曲线观察到各子电池的吸收边随温度升高发生红移,这主要归因于电池材料禁带宽度的变窄效应.根据光谱响应数据计算得到的GaInP/GaAs/Ge叠层电池各子电池在室温下的短路电流密度分别为12.9,13.7和17 mA/cm,且叠层电池的短路电流密度的温度系数为8.9 μA/(cm·℃).最后,根据叠层电池的串联结构推导了其电压温度系数为-6.27 mV/℃.