在Si-Ge晶体外延生长中的RHEED花样研究

• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅锗外延生长 反射式高能电子衍射 表面重构 透射式衍射花样
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 7765-7772
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

在晶体衍射理论基础上,利用运动学理论解释了反射式高能电子衍射(reflection bigh energy electron diffraction,RHEED)在Si-Ce晶体外延生长过程中不同阶段出现的花样.尤其研究了晶体岛状生长之后出现的RHHED透射式衍射花样,并给出了相应的解释.解释了硅锗外延生长过程中的多晶环图案和孪晶衍射图案的含义,并给出各个生长阶段演化的工艺条件.