InP材料Zn扩散的新方法

• 作者: 毛陆虹 谢生 陈朝
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 锌扩散 磷化铟 电化学电容-电压 电流-电压特性
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 360-361,368
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 1427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2009.03.003

摘要

为了在InP材料中获得精确的浅结扩散和低的接触电阻,同时防止InP表面层分解,提出了一种以Zn膜作扩散源、用快速热处理工艺进行Zn扩散的新方法.实验结果表明,该方法不仅可以获得约5×1018cm-3的空穴浓度,而且扩散界面平坦、无尖峰.用SiNx/SiO2和Al2O3图形掩膜制备的p-n结二板管的反向击穿电压分别为28和37V,进一步验证了扩散界面良好的电学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
3	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0