沉积电压对水热电泳沉积硅酸钇涂层显微结构的影响

• 作者: 吴建鹏 曹丽云 王雅琴 黄剑锋
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 水热电泳沉积 C/C复合材料 硅酸钇涂层 沉积电压
• 年，卷（期）: 2009,（20）
• 所属期刊栏目: 分析、测试与表征
• 页码范围: 107-110
• 页数: 4页
• 分类号: TB332
• 字数: 2881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.20.032

摘要

采用水热电泳沉积法在SiC-C/C复合材料SiC内涂层表面制备了硅酸钇抗氧化外涂层,并借助X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对涂层的相组成及显微结构进行了表征.讨论了沉积电压对硅酸钇涂层沉积量及显微结构的影响,并研究了不同沉积电压下涂层沉积量与时间的关系,同时测试了涂层试样的抗氧化性能.研究结果表明,随着沉积电压的升高,涂层的沉积量有所增加,涂层的致密性和均匀性也逐渐得到改善.当电压为210V时达到最佳,继续升高沉积电压,涂层的均匀性变差,当沉积电压为240V时,涂层出现明显开裂;不同沉积电压下涂层沉积量随时间呈抛物线变化;涂层在1500℃静态空气中经过10h氧化后,失重仍然小于2%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄剑锋	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	271	1521	17.0	24.0
2	曹丽云	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	224	1288	16.0	22.0
3	吴建鹏	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	120	797	14.0	21.0
4	王雅琴	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	6	23	4.0	4.0