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有机半导体的物理掺杂理论
有机半导体的物理掺杂理论
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
有机半导体
掺杂
高斯态密度
载流子浓度
摘要:
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米.狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载流子浓度的影响做了数值研究.
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文献信息
篇名
有机半导体的物理掺杂理论
来源期刊
物理学报
学科
化学
关键词
有机半导体
掺杂
高斯态密度
载流子浓度
年,卷(期)
2009,(11)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
7897-7903
页数
7页
分类号
O6
字数
语种
中文
DOI
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掺杂
高斯态密度
载流子浓度
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期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
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