低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展

• 作者: 吴海平 夏燕萍 张国庆 王辉 陶国良 陶宇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米材料 半导体 硅 锗
• 年，卷（期）: 2009,（z2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料
• 页码范围: 75-78
• 分类号: TB3
• 字数: 4851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.z2.025

摘要

低维半导体纳米材料由于具备许多特殊的电学及光学性能,近年来受到研究学者的广泛关注.综述了近期国内外低维Ⅳ族元素半导体纳米材料制备方法的研究进展,并对已经报道的制备方法进行了分类和总结,展望了低维元素半导体的研究前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王辉		7	23	2.0	4.0
2	张国庆	浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室	16	68	4.0	8.0
3	陶宇		16	178	6.0	13.0
4	吴海平	浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0
8	夏燕萍		1	2	1.0	1.0
9	陶国良	浙江理工大学先进纺织材料与制备技术教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0