磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响

• 作者: 于军 徐玮 王晓晶 袁俊明 雷青松
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 陶瓷靶材 电阻率 透过率 ZnO:Al薄膜
• 年，卷（期）: 2009,（z2）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 387-390
• 分类号: TK514
• 字数: 3015字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.z2.115

摘要

利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响.采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试.结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10-4Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
2	雷青松	华中科技大学电子科学与技术系	12	56	5.0	6.0
3	王晓晶	华中科技大学电子科学与技术系	14	109	5.0	10.0
5	徐玮	华中科技大学电子科学与技术系	9	35	4.0	5.0
8	袁俊明	华中科技大学电子科学与技术系	4	23	3.0	4.0