MOCVD法制备HfO2薄膜前驱体的研究现状

• 作者: 余尧 刘伟平 叶青松 常桥稳 张妮 谌喜珠 陈加林
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: HfO2 薄膜 前驱体 MOCVD
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 329-333
• 分类号: TB3
• 字数: 3703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.z1.098

摘要

HfO2薄膜是一种新兴的薄膜材料,在耐高温保护涂层、微电子、催化等领域有着非常重要的应用.HfO2薄膜优异的性能及广阔的应用前景已经引起人们极大的关注.介绍了MOCVD法制备HfO2薄膜前驱体的研究进展和现状,着重讨论了MOCVD工艺中各类前驱体的优缺点,概述了目前研究的热点和进一步研究的方向.最后得出结论:目前使用较多的β二酮类铪配合物自身存在许多不利于MOCVD工艺的缺点,因此混合配体的铪配合物成为进一步研究的焦点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶青松		20	54	5.0	6.0
2	刘伟平		79	385	9.0	15.0
3	谌喜珠		28	141	6.0	10.0
4	余尧		25	95	6.0	8.0
5	常桥稳		18	36	4.0	5.0
6	张妮		4	14	2.0	3.0
7	陈加林		2	1	1.0	1.0