纳米存储器的多值逻辑设计研究

• 作者: 周少华 曾云 杨红官 熊琦
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 多值逻辑设计 存储矩阵 几何级减小 信息密度
• 年，卷（期）: 2009,（16）
• 所属期刊栏目: 无器件与应用
• 页码范围: 167-168,170
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.16.052

摘要

为探索解决纳米技术发展的极限问题,讨论纳米技术发展的极限和二值逻辑设计的存储器结构,为应对纳米器件在到硅技术7 nm极限的突破,提出基于二端单电子晶体管的库仑台阶效应的多值逻辑设计的纳米存储器模型,分析9值逻辑逻辑设计的单位纳米存储器的逻辑信号与输出电压之间的关系,发现这样构建的存储矩阵大小几乎成几何级减小,提高了信息密度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云		102	899	13.0	27.0
2	周少华		22	121	7.0	10.0
4	杨红官		28	95	6.0	7.0
7	熊琦		24	49	4.0	6.0