Si表面吸附GaN的第一性原理研究

• 作者: 张洪宾 李炜 王腾 郭超峰 陈俊芳
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si GaN 吸附 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（16）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 71-73,77
• 页数: 4页
• 分类号: O481|O73|O471
• 字数: 3151字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.16.021

摘要

为了更好地了解Si表面对CaN的吸附,利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,计算了Si(100)和Si(111)弛豫表面分别吸附GaN的电子结构、吸附能大小以及其态密度图.计算结果表明,相对于Si(111)表面,Si(100)表面更容易吸附GaN,在同等实验条件下,在Si(100)表面应更容易沉积GaN薄膜.采用ECR-MOPECVD工艺,于低温下在Si(100)衬底上沉积得到了GaN薄膜,XRD谱图表明该薄膜是一种晶体结构和无定形结构的混合结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈俊芳	华南师范大学物理与电信工程学院	69	768	12.0	26.0
2	李炜	华南师范大学物理与电信工程学院	10	28	3.0	5.0
3	郭超峰	华南师范大学物理与电信工程学院	3	9	2.0	3.0
4	张洪宾	华南师范大学物理与电信工程学院	3	14	3.0	3.0
5	王腾	华南师范大学计算机学院	4	18	3.0	4.0