霍尔推进器中振荡鞘层对电子与壁面碰撞频率的影响研究

• 作者: 于达仁 刘辉 张凤奎 李鸿
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 霍尔推进器 振荡鞘层 二次电子
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 1844-1848
• 页数: 5页
• 分类号: O53
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.073

摘要

利用二维粒子模拟方法研究振荡鞘层对近壁电导的影响.研究结果表明,当二次电子发射系数大于1时,鞘层处于振荡状态.在振荡鞘层状态下,电子与壁面的碰撞通量沿平行与壁面方向剧烈的周期性振荡,振荡的波长为电子静电波波长量级,电子与壁面的碰撞频率高出经典鞘层状态下电子与壁面碰撞频率1-2个数量级,此时的碰撞频率对通道中电流的贡献不可忽略.振荡鞘层相对与经典鞘层增大了电子与壁面的碰撞频率,但是振荡鞘层的存在,仍然会使一部分慢电子无法穿越鞘层的势垒而打到壁面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于达仁	哈尔滨工业大学能源科学与工程学院	242	3647	29.0	50.0
2	刘辉	哈尔滨工业大学能源科学与工程学院	79	842	14.0	26.0
3	李鸿	哈尔滨工业大学能源科学与工程学院	19	100	6.0	9.0
4	张凤奎	哈尔滨工业大学能源科学与工程学院	1	15	1.0	1.0