Y掺杂SrTiO3晶体材料的电子结构计算

• 作者: 徐新发 邵晓红
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SrTiO3 电子结构 掺杂 VASP
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物持:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1908-1916
• 页数: 9页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.083

摘要

采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法, 研究了Y掺杂SrTiO3体系的空间结构和电子结构性质, 得到了优化后体系的结构参数, 掺杂形成能, 能带结构和电子态密度. 对比掺杂浓度为0.125, 0.25, 0.33时,Sr1-xYxTiO3和SrTi1-xYxO3的掺杂形成能,发现Y替代Sr能形成更稳定的结构. 对Sr1-xYxTiO3(x=0, 0.125, 0.25, 0.33) 的结构进行了优化,结果表明Y替代Sr后, 随着掺杂浓度增大, 体系的晶格常数逐渐减小, 稳定性逐渐增强. 对不同掺杂浓度的Sr1-xYxTiO3能带结构的计算结果表明:纯净的SrTiO3是绝缘体, 价带顶在R点, 导带底在Γ点, 费米能级处于价带顶; 掺杂Y后, 费米能级进入到导带底中, 体系呈金属性;掺杂浓度越大,费米能级进入导带的位置越深,禁带宽度也近似变宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵晓红	北京化工大学理学院	27	94	5.0	9.0
2	徐新发	北京化工大学理学院	1	11	1.0	1.0