AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

• 作者: 全思 冯倩 张金凤 王冲 郝跃 陈军峰
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管 AlGaN/GaN 槽栅器件
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 凝聚物持:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1966-1970
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.03.092

摘要

分析了栅槽深度对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,并对不同栅槽深度的器件特性进行了模拟,得到了器件饱和电流、最大跨导和阈值电压随栅槽深度的变化规律.当槽栅深度增大,器件饱和电流逐渐下降,而最大跨导逐渐增大,阈值电压向X轴正方向移动.研制出不同栅槽深度的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT,用实验数据验证了得到的不同栅槽深度器件特性变化规律.从刻蚀损伤和刻蚀引入界面态的角度分析了模拟与实验规律产生差别的原因.