穿透型V形坑对GaN基p-i-n结构紫外探测器反向漏电的影响

• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaN 紫外探测器 V形坑 反向漏电
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7952-7957
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

研究了GaN基p-i-n(p-AlGaN/i-GaN,n-GaN)结构紫外探测器的漏电机理.实验发现,在位错密度几乎相同的情况下,基于表面有较高密度的V形坑缺陷材料制备的器件表现出较高的反向漏电.进一步的SEM测试发现,这种V形坑穿透到有源区i-GaN、甚至n-GaN层.在制备p-AlGaN电极时,许多金属会落在V形坑中,从而与i-GaN形成了肖特基接触.有些甚至直接和n-GaN形成欧姆接触.正是由于并联的肖特基接触和欧姆接触的存在导致了漏电的增加.