应变Si_(1-x)Ge_x能带结构研究

• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 应变Si_(1-x)Ge_x K.P法 能带结构
• 年，卷（期）: 2009,（11）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7947-7951
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 语种: 中文

摘要

采用结合形变势理论的K.P微扰法建立了(001),(101)和(111)面弛豫Si衬底上生长的应变Si_(1-x),Ge_x(x≤0.5)的能带结构模型,获得了其导带带边能级、价带带边能级、导带劈裂能、价带劈裂能及禁带宽度随Ge组分(x)的函数变化关系,该量化数据对器件研究设计可提供有价值的参考.