铜基封装材料的研究进展

• 作者: 丁秉钧 宋晓平 王亚平 蔡辉
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 铜基复合材料 电子封装 碳化硅 硅
• 年，卷（期）: 2009,（15）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: TB3
• 字数: 4559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.15.006

摘要

具有高导热性的铜基封装材料可以满足大功率器件即时快速大量散热的要求,是一种重要的封装材料.综述了Cu/Mo、Cu/W传统铜基封装材料和Cu/C纤维、Cu/Invar(Mo、Kovar)/Cu层状材料、Cu/ZrW2O8(Ti-Ni)负热膨胀材料及Cu/SiC、Cu/Si轻质材料等新型铜基封装材料的性能特点、制备工艺与问题.指出轻质Cu/Si复合材料将是铜基封装材料中一个新的具有前景的研究方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁秉钧	西安交通大学理学院非平衡物质结构及量子调控教育部重点实验室	92	1302	20.0	31.0
2	宋晓平	西安交通大学理学院非平衡物质结构及量子调控教育部重点实验室	108	901	17.0	24.0
3	王亚平	西安交通大学理学院非平衡物质结构及量子调控教育部重点实验室	39	408	12.0	19.0
4	蔡辉	西安交通大学理学院非平衡物质结构及量子调控教育部重点实验室	3	46	2.0	3.0