Al-2N高共掺浓度对ZnO半导体导电性能影响的第一性原理研究

• 作者: 侯清玉 赵春旺 金永军
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO半导体 浓度 电导率 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7136-7140
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.077

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,在同等环境条件下,建立了不同大小的ZnO模型,在ZnO中对不同浓度的氮和铝原子进行了高掺杂,并对低温条件下高掺杂氮和铝原子的ZnO半导体进行了态密度计算,然后分别对进入价带的相对空穴数和空穴散射迁移率进行了计算,最后对电导率进行了类比,发现适量低浓度的高掺杂氮和铝原子会使ZnO半导体的导电性能增强.即在低温高掺杂氮和铝原子的条件下,ZnO半导体的电导率不仅与掺杂氮和铝原子浓度有关,而且和进入价带的相对空穴数有关.和空穴散射的迁移率有关的结果,与实验结果对比分析,计算和实验结果相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	侯清玉	内蒙古工业大学理学院物理系	43	191	7.0	9.0
2	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0
3	金永军	内蒙古工业大学理学院物理系	13	42	4.0	6.0