P种子层对单室制备微晶硅电池性能的影响

• 作者: 孙建 孙福河 岳强 张晓丹 熊绍珍 王光红 耿新华 许盛之 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单室 甚高频等离子体增强化学气相沉积 微晶硅太阳电池 p种子层
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 7294-7299
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.105

摘要

采用单室等离子体化学气相沉积技术沉积pin微晶硅电池时,硼污染降低了本征材料的晶化率并影响了p/I界面特性.针对该问题文中采用p种子层技术,即在沉积p层后采取高的H2/SiH4比率及适当的功率又沉积一个薄的p层,初步研究了p种子层对微晶硅I层纵向均匀性及电池性能的影响.实验结果表明:采用此方法能改善p/I界面特性,提高本征材料纵向结构的均匀性并降低硼对本征层的污染,有效地提高单结微晶硅电池的性能.最后,通过优化沉积条件,制备得到光电转换效率为8.81%(1 cm2)的非晶/微晶硅叠层电池.