差分放大器中的不匹配效应及消除方法

• 作者: 朱小瑜 李津
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 不匹配 模型 MOS放大器 工艺参数
• 年，卷（期）: 2009,（16）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计
• 页码范围: 25-27,31
• 页数: 4页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.16.008

摘要

叙述模拟集成电路设计中关于MOS管不匹配特性的一些基本概念,以及随着加工尺寸的不断减小,MOS管所引起的一系列短沟道效应,进而描述整个MOS管模型的发展历史,以此说明一个精确模型对模拟电路设计的重要意义.然后进一步阐述因MOS管失配而引起电路性能变差,尤其是对整个D/A转换器性能的影响;进而采用改进技术,并对其进行了进一步验证.针对放大器引起的失调,介绍通过版图设计消除失配的原理,并且运用电路设计方法进行消除,采用TSMC0.25μm标准CMOS工艺参数对其进行仿真验证.针对D/A的电流源失配引起的电路性能变差,采用了电流源自校准技术,并对这种方法进行了仿真验证,取得了不错的成果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱小瑜		7	7	2.0	2.0
3	李津		5	11	2.0	3.0