n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究

• 作者: 包军林 庄奕琪 李伟华 杜磊
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 噪声 非高斯性 n型金属氧化物半导体场效应晶体管 氧化层陷阱
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7183-7188
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.085

摘要

基于n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFET)噪声的数涨落模型,采用高阶统计量双相干系数平方和研究了nMOSFET噪声的非高斯性.通过对nMOSFET实际测试噪声的分析,发现nMOSFET器件噪声存在非高斯性;小尺寸器件噪声的非高斯性强于大尺寸器件;在器件的强反型线性区,其非高斯性随着漏压的增加而增加.文中还通过蒙特卡罗模拟和中心极限定理理论对nMOSFET、噪声的非高斯性作了深入的探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	包军林	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	43	306	10.0	16.0
4	李伟华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	16	98	6.0	9.0