石墨烯纳米带电子结构的紧束缚法研究

• 作者: 丁开和 刘新海 张振华 胡海鑫 邱明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯纳米带 复式格子 紧束缚模型 电子结构
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7156-7161
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.081

摘要

在推导出的一般复式格子的л电子紧束缚能量色散关系的基础上,通过假定石墨烯纳米带的电子横向限制势为无穷大硬壁势,导出石墨烯纳米带的能量色散关系及石墨烯纳米带或为金属或为半导体的条件.结果表明:石墨烯纳米带的电子结构与其几何构型(对称性及宽度)密切相关,所以通过控制几何构型,可将其调制成金属或不同带隙的半导体.这意味着石墨烯纳米带对于发展新型纳米器件具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张振华	长沙理工大学物理与电子科学学院	38	195	9.0	12.0
2	丁开和	长沙理工大学物理与电子科学学院	8	34	2.0	5.0
3	邱明	长沙理工大学物理与电子科学学院	11	51	3.0	7.0
4	胡海鑫	长沙理工大学物理与电子科学学院	1	23	1.0	1.0
5	刘新海	长沙理工大学物理与电子科学学院	6	24	1.0	4.0