碳掺杂闭口硼氮纳米管场发射第一性原理研究

• 作者: 刘光清 安博 杨敏 王六定 王益军 陈国栋
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳掺杂 硼氮纳米管 电子场发射 第一性原理
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 7151-7155
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.10.080

摘要

运用第一性原理研究了闭口硼氮纳米管(BNNT)顶层掺碳体系(C@BNNT)的电子场发射性能.结果表明:随外电场增强,C@BNNT电子结构变化显著,态密度(DOS)向低能方向移动;碳原子的局域态密度(LDOS)在费米能级附近明显增大;赝能隙、最高占据分子轨道(HOMO)/最低未占据分子轨道(LUMO)能隙减小;体系电荷移向帽端.DOS,HOMO/LUMO及Mulliken电荷分析一致表明,与BNNT相比,C@BNNT电子场发射性能显著改善,且C@BNmoreNT性能更优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王六定	西北工业大学应用物理系	33	212	7.0	13.0
2	王益军	西北工业大学应用物理系	10	27	3.0	4.0
3	杨敏	西北工业大学应用物理系	16	103	6.0	9.0
4	刘光清	西北工业大学应用物理系	4	15	2.0	3.0
5	陈国栋	西北工业大学应用物理系	7	49	4.0	7.0
6	安博	西北工业大学应用物理系	7	22	3.0	4.0