水杨酸分子印迹膜电化学传感器的制备

• 作者: 周汉坤 李淮芬 谢成根 谢春艳
• 来源期刊: 分析化学
• 学科: 化学
• 关键词: 水杨酸 分子印迹 电聚合吡咯 修饰电极 传感器
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 1045-1048
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 3303字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2009.07.022

摘要

以水杨酸为模板分子,采用循环伏安法电聚合形成聚吡咯膜,以固定电位过氧化法去除印迹分子,制备了水杨酸分子印迹膜电极.本印迹电极能促进水杨酸电氧化过程,有效地避免结构类似物(如苯甲酸)对其测定的干扰.循环伏安法用于电化学检测,当富集时间为10 min,磷酸盐缓冲溶液的pH=6.86 时,在1.0×10-6～2.0×10-3 mol/L浓度范围内,水杨酸氧化峰电流与其浓度呈良好的线性关系,检出限为0.8 μmol/L, 用分子印迹膜电极对加标样品进行分析,回收率为94.6%～103.4%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李淮芬	皖西学院化学与生命科学系	20	220	9.0	14.0
2	谢成根	皖西学院化学与生命科学系	39	333	11.0	15.0
3	周汉坤	皖西学院化学与生命科学系	2	53	2.0	2.0
4	谢春艳	皖西学院化学与生命科学系	1	31	1.0	1.0