MOSFET输入电容对功放驱动电路的影响

• 作者: 乔永辉 刘平 焦彦明
• 来源期刊: 通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOSEFT 输入电容 驱动电路 射频
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 182-184
• 页数: 3页
• 分类号: TN721.3
• 字数: 2043字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0802.2009.09.063

摘要

由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能.因此,丈中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,分析了输入电容Ciss对射频功率放大电路的驱动电路设计的影响.实验结果和理论分析保持了很好的一致性.理论分析和实验均表明,在射频MOSFET功率放大器的设计中,充分考虑输入电容Ciss的影响,可以提高驱动电路的驱动能力和放大器的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘平	郑州大学信息工程学院	59	239	8.0	11.0
2	焦彦明	郑州大学信息工程学院	2	11	1.0	2.0
3	乔永辉	郑州大学信息工程学院	2	11	1.0	2.0