射频磁控溅射制备p-Bi2Te3热电薄膜的电学性能研究

• 作者: 唐耿平 程海峰 穆武第 陈朝晖
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 p-Bi2Te3 电导率 Seebeck系数
• 年，卷（期）: 2009,（z1）
• 所属期刊栏目: 新材料与新技术
• 页码范围: 353-355,358
• 分类号: TM23
• 字数: 2453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2009.z1.104

摘要

通过射频磁控溅射并控制溅射时间在玻璃基底上沉积了不同厚度和成分的p型Bi2Te3薄膜.Bi2Te3薄膜主要以(221)晶面平行于基底进行生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构;退火后薄膜沿平面方向形成片状结构.薄膜的电导率和Seebeck系数受薄膜厚度和成分的影响,退火前受薄膜厚度的影响较大,退火后受薄膜成分和均匀性的影响较大,自掺杂Bi质量分数在5%左右时,薄膜功率因子约为760μW/(K2·m).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程海峰	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	109	1599	24.0	33.0
2	唐耿平	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	35	437	12.0	20.0
3	穆武第	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	6	62	3.0	6.0
4	陈朝晖	国防科技大学新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室	2	1	1.0	1.0