高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究

• 作者: 刘宏伟 周良骥 徐鸣 施卫 王馨梅 田立强 谢卫平 马德明
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 光电导开关 击穿 转移电子效应 陷阱填充
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1219-1223
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.086

摘要

研制了耐压达32 kV,通态峰值电流达3.7 kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能带间隙光导材料(如Si)制作的光电导开关,开关的击穿电压主要由陷阱填充限制电导模型决定.而对于直接能带间隙光导材料(如GaAs,InP等)制作的光电导开关,开关击穿主要是由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的.基于转移电子效应对GaAs光电导开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施卫	西安理工大学理学院应用物理系	85	925	17.0	25.0
2	刘宏伟	中国工程物理研究院流体物理研究所	24	157	7.0	12.0
3	谢卫平	中国工程物理研究院流体物理研究所	68	501	14.0	19.0
4	王馨梅	西安理工大学理学院应用物理系	24	130	7.0	10.0
5	田立强	西安理工大学理学院应用物理系	8	96	5.0	8.0
6	马德明	西安理工大学理学院应用物理系	23	180	9.0	12.0
7	周良骥	中国工程物理研究院流体物理研究所	16	143	7.0	11.0
8	徐鸣	西安理工大学理学院应用物理系	5	48	4.0	5.0