超低中频CMOS下混频器的设计

• 作者: 吴王震 黄世震
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 超低中频 CMOS 下混频器 Girlbert
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电子技术
• 页码范围: 184-186
• 页数: 3页
• 分类号: TN914
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.05.057

摘要

低中频架构由于其镜像抑制能力强,易于集成等优点而被广泛应用于接收机的设计中.混频器作为接收机的重要模块之一,它的主要作用是完成频率转换,其性能对接收机有很大的影响.设计了一个工作于GSM 850频带的超低中频CMOS混频器.为了提高转换增益和降低噪声,输入级加入了分流单元.在输出级应用共模反馈稳定输出电平.混频器工作的频带为869～894 MHz,中频输出为100 kHz.仿真结果显示增益为17 dB,三阶交调点为9.6 dB,噪声系数为17.5 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄世震	福州大学福建省集成电路重点实验室	93	587	13.0	19.0
2	吴王震	福州大学福建省集成电路重点实验室	1	3	1.0	1.0