硫系非晶半导体薄膜中的超快光 Kerr效应

• 作者: 何漩 刘启明 干福熹 钱士雄
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 全光开关,硫系非晶半导体薄膜,飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE),三阶非线性
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 1002-1006
• 页数: 5页
• 分类号: O37
• 字数: 4487字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.050

摘要

利用飞秒激光超外差光Kerr(OHD-OKE)技术研究了As2S3, As2Se3, GeS2, GeSe2, Ge20As25S55, Ge20As25Se55, Ge10As40S20Se30 七个体系硫系非晶态半导体薄膜的三阶非线性性能,结果表明硫系非晶态半导体薄膜具有较大的三阶非线性极化率χ(3值(达10-12 esu),非线性响应时间很快(小于200 fs).并根据测量结果计算出了薄膜的非线性折射率和吸收. 硫系非晶半导体薄膜中较大的非线性极化率值的出现是由于核外电子轨道的非线性扭曲所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	钱士雄	复旦大学物理系	28	209	8.0	13.0
3	刘启明	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	11	68	4.0	8.0
4	何漩	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	2	9	1.0	2.0