高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

• 作者: 侯国付 孙建 张德坤 张晓丹 李贵君 耿新华 袁育杰 赵颖 韩晓艳 魏长春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 高速沉积 微晶硅薄膜 电子温度
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 1344-1347
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.108

摘要

采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*]/I[Hβ*] 比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I[Hβ*]/I[Hα*]的强度比值表明氢等离子体中的电子温度随Tfl的增加先减小后增加,相对应的红外吸收谱(FTIR)表明材料的微结构因子R先减小后增加,即氢等离子体的电子温度变化对材料质量有较大的影响.