InGaN薄膜的紫外共振喇曼散射

• 作者: 王瑞敏 陈光德
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Inx Ga1-xN合金,紫外共振喇曼散射,二阶声子,相分离
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1252-1256
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.092

摘要

利用325 nm紫外光激发,对不同组分的InxGa1-xN薄膜的喇曼散射谱进行了研究.在光子能量大于带隙的情况下,观察到显著增强的二阶A1(LO)声子散射峰.二阶LO声子峰都从一阶LO声子的二倍处向高能方向移动,移动量随样品In组分的增加而增大,认为是带内Fr(o)hlich相互作用决定的多共振效应引起的.分析了一阶LO声子散射频率和峰型与In组分的关系.在喇曼谱中观察到样品存在相分离现象,并与X射线衍射的实验结果进行了对比.此外,还观察到位于1310 cm-1附近的InxGa1-xN的E2声子组合模.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光德	西安交通大学理学院大学物理部	65	517	13.0	18.0
2	王瑞敏	西安交通大学理学院大学物理部	10	30	3.0	5.0