面内场对三类硬磁畴的影响

• 作者: 孙会元 胡云志
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: 硬磁畴 整形 垂直布洛赫线
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1242-1245
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.090

摘要

采用直流偏场整形的方法,研究了面内场对石榴石磁泡薄膜中三类硬磁畴的影响.得到面内场作用下三类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线(VBL)是逐步解体的,而且三类硬磁畴具有相同的临界面内场范围[H1ip,H2ip],其中H1ip是硬磁畴中VBL开始丢失时的临界面内场,H2ip是VBL完全丢失时的最小临界面内场.实验结果还揭示了面内场作用下VBL链的解体与硬磁畴的硬度无关,为解释面内场作用下VBL的消失机制提供了重要线索.此外,还为准确测量VBL的临界面内场提供了一种新方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙会元	河北师范大学物理科学与信息工程学院河北省新型薄膜材料实验室	38	76	5.0	6.0
2	胡云志	河北师范大学物理科学与信息工程学院河北省新型薄膜材料实验室	2	5	1.0	2.0