60Co γ射线辐射对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

• 作者: 冯倩 张进城 王冲 谷文萍 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: AlGaN/GaNHEMT器件 γ射线辐射 表面态
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1161-1165
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.02.076

摘要

采用60 Co γ射线辐射源对非钝化保护的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了1 Mrad(Si)的总剂量辐射,实验发现辐射累积剂量越大,器件尺寸越小,器件饱和漏电流和跨导下降越明显,同时辐射后器件栅泄漏电流明显增大,而阈值电压变化很小. 对辐射前后器件的沟道串联电阻和阈值电压变化的分析表明,辐射感生表面态负电荷的产生是造成AlGaN/GaN HEMT器件电特性退化的主要原因之一.